甚至我帶過的很多博士生在畢業的時候，在這方麵的能力都不如你。”
胡正明沒有給周新設置太高的門檻，博士生入學考試的難度。
當然這個難度對於華國的大二學生來說，換成除了周新，任何一個人來都做不出來。
這不是水平的差距，而是全方位的差距。
不管是教材、教師水平、學習的深度等等，大二和博士生入學考試之間隔著很厚的壁壘。
更彆說還要通過全英文作答。
“如果我沒能通過考試呢？”周新在電話裡反問道。
胡正明笑了笑：“隻要你能夠證明郵件是你本人寫的。
那麼我也會幫你搞定轉校和獎學金的事情。
隻是說你需要來伯克利把本科沒有上完的課程補完。”
作為半導體界教父級的人物，在伯克利呆了二十多年時間，想要幫學生搞定獎學金，用輕而易舉來形容毫不誇張。
胡正明很欣賞周新，不僅僅是因為那封郵件，也是因為對方在溝通中表現出來的坦誠，以及這口流利的英語。
甚至在一些語氣詞裡都和他一樣。
周新在阿美利肯期間，主要溝通對象之一就是胡正明，口語主要就是在阿美利肯那幾年突飛猛進的。
口語表達上二人當然會有相似之處。
周新在電話那頭笑了笑：“好。”
“osfet模型可以將e與所有器件參數和偏置電壓相關聯，描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途，你是如何想到通過電路仿真的預測性來對osfet進行互連建模？”
跨越數千公裡的電話線，兩頭不僅僅是地理上的距離，更是時間上的距離。
周新發給胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的論文，發表在2000年的ieee集成電路會議論文集上，在胡正明超過九百篇論文裡被引用次數排名第八。
雖然排名不是很高，但是卻起到了承上啟下的作用。
胡正明最大的貢獻是，將半導體的2d結構，研發優化出了3d結構，也就是ffet。
從1960年到2010年左右，基本的平麵2dosfet結構一直保持不變，直到進一步增加晶體管密度和降低器件功耗變得不可能。
胡正明在加州大學伯克利分校的實驗室早在1995年就看到了這一點。
ffet作為第一個3dosfet，將扁平而寬的晶體管結構變為高而窄的晶體管結構。好處是在更小的占地麵積內獲得更好的性能，就像在擁擠的城市中多層建築相對於單層建築的優勢一樣。
ffet也就是所謂的薄體（thbody）osfet，這一概念繼續指導新設備的開發。
它源於這樣一種認識，即電流不會通過矽表麵幾納米內的晶體管泄漏，因為那裡的表麵電勢受到柵極電壓的良好控製。
ffet牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的矽鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控製範圍之外沒有留下任何矽。ffet將漏電流降低了幾個數量級，並降低了晶體管工作電壓。它還指出了進一步改進的路徑：進一步降低厚度。
而電流不會通過矽表麵幾納米內的晶體管泄漏，因為那裡的表麵電勢受到柵極電壓的良好控製，這一概念，正是osfet進行互連建模在實驗室進行複現後發現的。
周新不可能告訴胡正明，這是你自己發現的。
不過由於周新對於胡正明最重要的論文，都做過精讀，對於當時是如何思考，有自己的分析。
這些分析和二十年後的老胡交流過程中，也獲得了對方的認可。