osfet可以說是最常見的晶體管，幾乎不需要通過輸入電流來控製負載電流。
osfet多種多樣，但是基本都能夠分成兩類，增強型和耗儘型。
然後這兩種類型可以用作n溝道或者溝道。
osfet是平麵晶體管，而胡正明發明的ffet架構則是3d的晶體管，3d晶體管能夠克服晶體管本身可能遭遇的短溝道效應。
簡單來說ffet能以更低的成本實現更高的性能指標。ffet的設計主要為突破25n製程，解決osfet由於製程縮小伴隨的隧穿效應。
當然從ffet這個架構2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台積電作為首席專家，台積電在2002年12月才拿出第一個真正意義上的ffet晶體管。
而一直到了2012年商用22n的ffet架構的晶體管才麵世。
這是一個非常漫長的過程。
周新要講的是osfet架構的某一種優化。
帶有些許的ffet架構思想在其中。
但是順著這條路去思考，反而會走上彎路。
“我們可以發現當一端沒有電壓時，通道會顯示最大電導。當兩端電壓同為正或同為負的時候，通道的電導率會降低。
我們嘗試關閉不導通的區域，讓osfet在該區域工作的時候，把歐姆區作為放大器。
在飽和區osfet的ids是恒定的，儘管vds增加並且一旦vds超過夾斷電壓v的值就會發生。
在這種情況下，該設備將像一個閉合的開關一樣工作，飽和的ids值流過該開關。
因此，無論何時需要osfet執行開關操作，都會選擇該工作區域
這樣一來我們就能夠讓osfet在較低電壓下以更高效率運行。”
周新的論文講完後台下響起了禮貌的掌聲。
因為周新的內容是純粹的模型，也就是從理論層麵講述一個更加優秀的osfet架構，而缺乏實驗數據。
很多東西模型設計的很完美，不代表在實驗室複刻出來真的有這麼完美。
現實世界是無法像理論推演一樣完美的。
不過單純從內容上來說，周新的osfet架構給了在場的研究人員們很多思考。
後續一些關於論文本身內容的提問，周新也回答的挑不出任何毛病。
在提問環節結束後，在場的掌聲要真誠很多。
論文本身能夠證明一部分，提問環節能夠進一步驗證周新自身的實力。
大家都是研究人員，財富和資產隻是附加項，你本身在科研方麵的實力才會讓在場的研究人員們產生親近的情緒。
這小子和我們是一路人。
“非常不錯，如果你不是我的學生，我會以為你是來開過很多次的老手。
你表現得很成熟，以後多來幾次基本上大家都熟悉你了，後續你想做點什麼，認識這幫人對伱來說很有好處。
也許他們不會跟你回華國，但是你可以把研發中心設在矽穀或者歐羅巴。
這對你來說再簡單不過了。”胡正明在台下等周新下來之後邊鼓掌邊用中文說道。