深城，海灣科技的三號樓，也是EUV項目辦公樓裡的一樓實驗室裡。
徐申學帶著幾個集團高管在海灣科技的眾人陪同下，參觀了這台EUV光刻機原型機。
EUV光刻機這東西，光看外表也看不出來什麼，就是一個大櫃子……光看這個大櫃子，普通人很難想象這東西的價格得至少一點五億美元甚至更貴。
此時海灣科技的CEO王道林，則是一臉興奮的向徐申學介紹著這台原型機的基本情況：“我們的這台原型機在研發的時候，已經曆經了多次的試驗機型的研發，以逐步提升技術水準！”
“如在關鍵技術參數，也就是數值孔徑上，我們一開始隻能做到0.25，而而這一水平的數值孔徑下，哪怕是我們采用了波長更短極紫外光，但是最後做出來的分辨率依舊不行，第一代試驗機的分辨率隻有三十五納米！”
“後續我們繼續研發，通過多係統的整合，先進材料的進一步應用，把數值孔徑提升到了0.33，也就是國外ASML旗下產品的同等水準。”
“同時我們在其他子係統，尤其是光源係統以及鏡片係統上也獲得了巨大的技術進步，等到第二代試驗機的時候，我們已經把分辨率提升到了二十納米！”
“理論上來說，這個分辨率已經很不錯，已經可以用來生產現在的這些十納米等效工藝，十二納米等效工藝，甚至等效七納米的芯片了！”
“但是性價比太低了，現在的EUV光刻機研發成本投入巨大，同時製造的硬件成本也會非常大，最後售價可能是現有的DUV浸潤式光刻機的兩倍以上，但是EUV光刻機的生產效率目前還無法提升，隻維持在每小時一百片的水準，這意味著從商業價值上來說，第二代試驗機依舊沒有實際價值，同時當時的套刻精度也隻有二點五納米。”
“而我們目前量產的最先進的HDUV600B型光刻機，分辨率達到38納米，套刻精度2.5納米，已經可以很充分的滿足1014納米工藝的芯片生產需求，性價比更高！”
“綜合來看，第二代試驗機因為性價比問題，並不具備商業化潛力，所以我們在第二代試驗機的基礎上繼續進行改進！”
“從去年開始，我們開始第三代試驗機的深度改進研發，主要是進一步提升分辨率以及套刻精度，此外也進一步提升機台的工作效率以及穩定性，為商業化生產做準備。”
“通過大量的技術研發，在仙女山旗下眾多合作企業的配合下，我們先後對光源係統，曝光係統，機台係統等進行了大幅度的技術升級！”
“最終，我們做出來了這台第三代的試驗機，同時也是量產型號的原型機：HEUV300A型！”
“經過大量的技術升級，目前我們的這台HEUV300A，分辨率已經達到了十三納米，數值孔徑為0.33，最重要的是套刻精度提升到了2納米。”
“其中套刻精度的提升是一個巨大的技術進步，這意味著我們可以使用這台光刻機低成本的生產等效7納米工藝的芯片，甚至生產等效五納米工藝的芯片！”
徐申學搞了這麼多年的半導體，多少對半導體設備以及工藝之間的關係能搞清楚了。
光是一聽這個十四納米工藝的分辨率，他就知道這台EUV光刻機的巨大價值了。
芯片工藝能做到做好，是和光刻機的分辨率以及套刻精度息息相關的。
芯片工藝的好壞，芯片工廠一般用等效工藝來進行宣傳，智雲的十八納米、十四納米、十二納米、十納米都是屬於等效工藝，台積電那邊的二十納米、十六納米、十納米工藝也是屬於等效工藝……並不是說芯片的金屬間隔真達到了這個程度。
芯片行業內一般使用多個關鍵數據來判斷芯片工藝的好壞，而其中和光刻機關係最大的就是半金屬間距了。
如智雲半導體的十四納米工藝，其半金屬間距是四十三納米；而今年剛推向市場的等效十納米工藝，其半金屬間距是三十二納米。
正在研發當中，預計明年投產的等效七納米工藝，半金屬間距是二十七。
隔壁的台積電以及四星，在各工藝節點上也差不多這個水準，有一些偏差，但是不會大。
而到了二十七納米這個半金屬間距，也就是等效七納米工藝這個工藝節點後，DUV浸潤式光刻機受限於分辨率的限製已經到了物理理論極限了，很難再往下繼續搞了，比如等效五納米工藝就很難搞……當然，也不是說不行，如果套刻精度能夠做到兩納米的程度，也能勉強高，但是成本會上天……
智雲半導體以及對麵的台積電，其實都在嘗試用DUV浸潤式光刻機搞等效五納米工藝的芯片……嗯，就是嘗試把芯片的半金屬間距做到大概二十五納米的水準。
彆看隻是兩納米的半金屬工藝的提升，但是依舊是一道難以誇張的天塹，難得很。
所以彆看都在搞，但實際上都對這一技術路線望而止步……用DUV浸潤式光刻機搞等效五納米的芯片，這個太扯淡了，從商業角度來看完全不值得。
所以這兩家芯片先進工藝的競爭對手，在使用DUV浸潤式光刻機製造等效五納米工藝這一技術路線上，都是雷聲大，雨點小……都在指望EUV光刻機呢。
至於四星和英特爾，他們就更慘了，他們連十納米工藝，嗯，也就是大概三十三半金屬工藝節點都還沒有搞出來呢。
等效七納米，遙遙無期……
其中的英特爾是受限於各種情況，技術推進非常不順利，隻能在十四納米工藝上修修改改。
而四星那邊，則是之前被智雲半導體挖走了梁鬆教授，沒有頂級人才的協助下他們搞起來先進工藝也很難，現在還在十四納米工藝裡打轉。
同時，這兩家半導體廠商，現在也開始指望用EUV光刻機搞後續的七納米工藝……用DUV浸潤式光刻機玩四重曝光，然後搞等效七納米，太尼瑪難了。
所以，DUV浸潤式光刻機受限於本身的分辨率限製，彆說搞等效五納米了，就算是用來做等效七納米工藝，也是千難萬難……也不是搞不了，而是良率太低了，進而導致芯片成本暴漲。
而芯片可是一個非常講究性價比的東西，你性能沒提升多少，但是成本暴漲好幾倍，這是沒有市場價值可言的。
到了等效七納米工藝這個階段，其實就需要EUV光刻機了……因為它的分辨率更低，哪怕是單次曝光也能夠達到DUV浸潤式光刻機四重曝光的精度……這意味著什麼？
省錢啊！
哪怕EUV光刻機更貴，生產效率更低，但是因為不需要四重曝光就能生產等效七納米乃至五納米工藝的芯片，因此生產出來的等效七納米，五納米工藝的芯片，其成本依舊低於DUV浸潤式光刻機。
當然，EUV光刻機的潛力更大，後續還能夠生產性能更好的芯片，這也是現在的DUV浸潤式光刻機所無法做到的。
比如等到未來，芯片工藝技術進一步發展，芯片的半金屬間距進一步提升到四十多納米、三十多納米，甚至二十多納米、十多納米的時候……DUV浸潤式光刻機是無論如何都做不到的，這都和工藝沒啥關係，而是物理極限就擺在這裡，不能忽視基本的物理規律啊！
七納米和五納米階段省錢，性價比高。
等效三納米，二納米，一點五納米，一納米階段則是硬需求……沒它就造不了。
上述這兩點，就是徐申學不管如何都要搞EUV光刻機的緣故！
順帶一提，哪怕是現在智雲集團正在秘密研發，即將明年發布商用型號的超導量子計算機，它內部的核心零部件‘超導量子芯片’也是用光刻機生產的，而且對工藝要求很高，這需要高端光刻機。
倒是國內另外一些機構正在研發的光子量子計算機，雖然也需要光刻機來生產芯片，但是對光刻機的性能要求不算高。
而現在，隨著這台第三代試驗機的誕生，困擾智雲集團，乃至困擾華夏電子工業的最後一道枷鎖，就被徹底打破了。
所以現在徐申學最關心的問題就是：“這台原型機看起來已經相當成熟了，什麼時候可以量產商用？”
海灣科技的CEO王道林道：“我們設計這台原型機的時候，就是奔著量產型號去的，從技術角度來說，我們已經打通了所有的技術環節，隨時可以生產更多的HEUV300A型的光刻機，但是它畢竟隻是一台原型機，縱然理論可行，但是實際長時間使用會暴露什麼問題，這依舊不明確，我們依舊需要對它進行一定時間的各種測試，找出來潛在的諸多問題。”
”但是下個月開始，我們可以為智雲微電子開始提供少量的實驗機型，用來進行前期的測試工作！”
“正式量產型號的話，還需要看後續的測試工作是否順利，需要多長時間，而這方麵還需要智雲微電子這邊進行配合！”
這個時候，徐申學看向了一旁跟著來視察的智雲微電子的CEO丁成軍：“你們這邊還需要多久才能搞定這些測試工作？”
丁成軍斟酌著了會後道：“我們訂購EUV光刻機的話，必然是用在等效七納米工藝以及未來的等效五納米工藝之上的，目前我們的七納米工藝的技術是建立在DUV浸潤式光刻機之上的，而這一套工藝和EUV光刻機的工藝技術差彆會很大！”
“之前我們雖然也獲得了一些國外EUV光刻機的秘密資料，也嘗試進行了理論上的工藝開發準備工作，但是依舊很不完善！”
“當然，單純光刻機測試工作我們有信心在一年內完成，EUV光刻機的七納米工藝有望在兩年左右搞定！”
徐申學心中盤算了一番，這意味著明年冬天左右EUV光刻機的量產型號，就能批量生產交付給智雲微電子，等到後年下半年話應該就能完成EUV光刻機等效七納米工藝的技術認證，大後年初開始大規模投產。
進而取代現在死貴又不好用的DUV浸潤式光刻機的等效七納米工藝。
這個時間表還可以接受。
至少比競爭對手ASML加台積電要快……
為什麼？
因為按照徐申學手底下情報部門的打聽，ASML那邊的EUV光刻機項目一直都談不上多順利……也不是說技術不行，他們的技術來源全球各地，能獲得很不錯的各種子係統。
主要是今天這裡出問題，明天那裡出問題，拖時間……搞起來各種破事太多！
嗯，基本都是銀河安保的功勞！